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IS61LV51216-8TL

更新时间： 2024-01-20 21:33:17

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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15页	117K
描述
512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV51216-8TL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.88
最长访问时间：	8 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.415 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS61LV51216-8TL 数据手册

IS61LV51216

IS64LV51216

ISSI

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

DECEMBER2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61/64LV51216 is a high-speed, 8M-bit static

RAMorganizedas525,288wordsby16bits.Itisfabricated

using ISSI's high-performance CMOS technology. This

highly reliable process coupled with innovative circuit de-

sign techniques, yields high-performance and low power

consumption devices.

• High-speed access time:

— 8, 10, and 12 ns

• CMOS low power operation

• Low stand-by power:

— Less than 5 mA (typ.) CMOS stand-by

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial and Automotive temperatures available

• Lead-free available

The IS61/64LV51216 is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP Type II and 48-pin Mini BGA (9mm x 11mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A18

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. D

12/06/05

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS61LV51216-8TL-TR	ISSI	Standard SRAM, 512KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	获取价格
IS61LV51216-8T-TR	ISSI	Standard SRAM, 512KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44	获取价格
IS61LV5128	ICSI	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格
IS61LV5128-10	ISSI	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格
IS61LV5128-10B	ISSI	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格
IS61LV5128-10BI	ISSI	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	获取价格

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