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Datasheet > 存储 > SRAM> IS61LV3216L-20KI
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IS61LV3216L-20KI

更新时间： 2024-01-28 19:52:27
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 104K
描述
32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

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IS61LV3216L-20KI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89最长访问时间：20 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
端子数量：44字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.001 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL

IS61LV3216L-20KI 数据手册

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ISSI®  
IS61LV3216L  
CAPACITANCE(1)  
Symbol  
CIN  
Parameter  
Conditions  
VIN = 0V  
Max.  
Unit  
pF  
Input Capacitance  
6
8
COUT  
Input/Output Capacitance  
VOUT = 0V  
pF  
Note:  
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)  
-10  
Min.  
-12  
Min.  
-15  
Min.  
-20  
Min.  
Symbol Parameter  
Max.  
—
Max.  
—
12  
3—  
12  
6
Max.  
—
Max.  
—
20  
ns  
20  
8
Unit  
tRC  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
Output Hold  
10  
—
12  
—
15  
—
3—  
—
—
0
20  
—
ns  
ns  
tAA  
10  
15  
tOHA  
tACE  
tDOE  
tHZOE  
Time  
3—  
3—  
CE Access Time  
—
10  
5
—
—
0
15  
7
—
—
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
OE Access Time  
—
(2)  
OE to High-Z Output  
OE to Low-Z Output  
CE to High-Z Output  
0
5
6
7
8
(2)  
tLZOE  
0
—
5
0
—
6
0
—
7
0
—
8
(2  
tHZCE  
0
0
0
0
(2)  
tLZCE  
tBA  
CE  
to  
Low-Z  
Output  
3—  
—
0
3—  
3—  
7
3—  
—
0
ns  
8
LB, UB Access Time  
—
0
5
5
6
6
—
0
ns  
ns  
ns  
tHZB  
tLZB  
LB, UB to High-Z Output  
LB, UB to Low-Z Output  
7
8
5
—
5
—
5
—
5
—
Notes:  
1. Test conditions assume signal transition times of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of  
0 to 3.0V and output loading specified in Figure 1a.  
2. Tested with the load in Figure 1b. Transition is measured 500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.  
3. Not 100% tested.  
AC TEST CONDITIONS  
Parameter  
Unit  
0V to 3.0V  
3 ns  
Input Pulse Level  
Input Rise and Fall Times  
Input and Output Timing  
and Reference Level  
1.5V  
Output Load  
See Figures 1a and 1b  
AC TEST LOADS  
319 Ω  
319 Ω  
3.3V  
3.3V  
OUTPUT  
OUTPUT  
353 Ω  
353 Ω  
5 pF  
30 pF  
Including  
jig and  
Including  
jig and  
scope  
scope  
Figure 1a.  
Figure 1b.  
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. A  
12/19/00  
12345678

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