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IS61LV10248-8B

更新时间： 2024-11-21 04:58:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 116K
描述
1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61LV10248-8B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：9 X 11 MM, MINI, BGA-36针数：36
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.86
最长访问时间：8 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B36JESD-609代码：e0
长度：11 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：36字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA36,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

IS61LV10248-8B 数据手册

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®
IS61LV10248  
ISSI  
1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM  
APRIL2006  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• High-speed access times:  
8, 10 ns  
The ISSI IS61LV10248 is a very high-speed, low power,  
1M-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV10248 is  
fabricated using ISSI's high-performance CMOS technol-  
ogy. This highly reliable process coupled with innovative  
circuit design techniques, yields higher performance and  
low power consumption devices.  
• High-performance, low-power CMOS process  
• Multiple center power and ground pins for  
greater noise immunity  
• Easy memory expansion with CE and OE  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
options  
• CE power-down  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
The IS61LV10248 operates from a single 3.3V power  
supply and all inputs are TTL-compatible.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V power supply  
• Packages available:  
The IS61LV10248 is available in 48 ball mini BGA, 36-ball  
mini BGA, and 44-pin TSOP (Type II) packages.  
–
48-ball miniBGA (9mm x 11mm)  
– 36-ball miniBGA (9mm x 11mm)  
– 44-pin TSOP (Type II)  
• Lead-free available  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
1M X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A19  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. C  
04/13/06  
1234567...16

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