IS61LV10248-10TI

更新时间： 2024-11-21 04:58:35

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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16页	116K
描述
1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61LV10248-10TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.025 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS61LV10248-10TI 数据手册

IS61LV10248

ISSI

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

APRIL2006

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access times:

8, 10 ns

The ISSI IS61LV10248 is a very high-speed, low power,

1M-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV10248 is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS technol-

ogy. This highly reliable process coupled with innovative

circuit design techniques, yields higher performance and

low power consumption devices.

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

options

• CE power-down

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The IS61LV10248 operates from a single 3.3V power

supply and all inputs are TTL-compatible.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V power supply

• Packages available:

The IS61LV10248 is available in 48 ball mini BGA, 36-ball

mini BGA, and 44-pin TSOP (Type II) packages.

–

48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 36-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 44-pin TSOP (Type II)

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1M X 8

MEMORY ARRAY

A0-A19

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

04/13/06

12 3 4 5 6 7...16

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IS61LV10248-10TI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B108L-ZS20XI	CYPRESS	功能相似	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM
CY14B108K-ZS25XI	CYPRESS	功能相似	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock
CY7C1059DV33-10ZSXI	CYPRESS	功能相似	8-Mbit (1M x 8) Static RAM

与IS61LV10248-10TI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV10248-10TLI	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-12T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS61LV10248-12TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS61LV10248-8B	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-8BI	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-8M	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-8MI	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-8T	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV10248-8TI	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV12816	ICSI	获取价格	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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