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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | PLASTIC, QFP-100 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.7X.9 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.22 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C632-10TQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
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| IS61C632-12PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 |
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| IS61C632-12TQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| IS61C632-8PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 |
|
| IS61C632-8TQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| IS61C632A | ICSI |
获取价格 |
32K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM |
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| IS61C632A10PQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| IS61C632A-10PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 |
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| IS61C632A-10TQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
|
| IS61C632A-12PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 |
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