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IS61C632-12PQ

更新时间: 2024-12-01 20:27:27
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 382K
描述
Standard SRAM, 32KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

IS61C632-12PQ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:PLASTIC, QFP-100针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:100
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX32
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.7X.9封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.22 mm
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

IS61C632-12PQ 数据手册

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