是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | PLASTIC, QFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100,.7X.9 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.22 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61C632-12TQ | ETC |
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x32 Fast Synchronous SRAM | |
IS61C632-8PQ | ISSI |
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Standard SRAM, 32KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 | |
IS61C632-8TQ | ETC |
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x32 Fast Synchronous SRAM | |
IS61C632A | ICSI |
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32K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM | |
IS61C632A10PQ | ETC |
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x32 Fast Synchronous SRAM | |
IS61C632A-10PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 | |
IS61C632A-10TQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IS61C632A-12PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 | |
IS61C632A-12TQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM | |
IS61C632A-4PQ | ICSI |
获取价格 |
32K x 32 SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM |