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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 30 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 35.3 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 最大压摆率： | 0.145 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.36 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C62-L15N | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 15ns, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C62-L20J | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C62-L20N | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C62-L25N | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP28 |
|
| IS61C62-L30J | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 30ns, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C62-L30N | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 30ns, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C632-10PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 |
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| IS61C632-10TQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
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| IS61C632-12PQ | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100 |
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| IS61C632-12TQ | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
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