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IS42S16400F-5BLI-TR

更新时间： 2024-11-07 19:31:07
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美国芯成 - ISSI 动态存储器
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59页 1324K
描述
DRAM

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IS42S16400F-5BLI-TR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

IS42S16400F-5BLI-TR 数据手册

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IS42S16400F  
IS45S16400F  
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
DECEMBER 2011  
FEATURES  
OVERVIEW  
ISSI'sꢀ64MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀ1,048,576ꢀ  
bitsꢀ xꢀ 16-bitꢀ xꢀ 4-bankꢀ forꢀ improvedꢀ performance.ꢀ Theꢀ  
synchronousꢀ DRAMsꢀ achieveꢀ high-speedꢀ dataꢀ transferꢀ  
usingꢀpipelineꢀarchitecture.ꢀAllꢀinputsꢀandꢀoutputsꢀsignalsꢀ  
referꢀtoꢀtheꢀrisingꢀedgeꢀofꢀtheꢀclockꢀinput.  
•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ200,ꢀ166,ꢀ143,ꢀ133ꢀMHz  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ  
positiveꢀclockꢀedge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge  
•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply  
•ꢀ LVTTLꢀinterface  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀꢀ  
–ꢀ(1,ꢀ2,ꢀ4,ꢀ8,ꢀfullꢀpage)  
KEY TIMING PARAMETERS  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀꢀ  
Sequential/Interleave  
Parameter  
-5  
-6  
-7  
Unit  
ClkꢀCycleꢀTimeꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
5ꢀ  
7.5ꢀ  
ꢀ
6ꢀ  
7.5ꢀ  
ꢀ
7ꢀ  
7.5ꢀ  
ꢀ
nsꢀ  
ns  
•ꢀ Selfꢀrefreshꢀmodes  
•ꢀ Autoꢀrefreshꢀ(CBR)  
ClkꢀFrequencyꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
ꢀꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
200ꢀ  
133ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀmsꢀ(Com,ꢀInd,ꢀA1ꢀ  
grade)ꢀorꢀ16msꢀ(A2ꢀgrade)  
166ꢀ  
133ꢀ  
143ꢀ  
133ꢀ  
Mhzꢀ  
Mhz  
•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle  
AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
ꢀ CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀ
5ꢀ  
6ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
5.4ꢀ  
6ꢀ  
5.4ꢀ  
6ꢀ  
nsꢀ  
ns  
•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatencyꢀ(2,ꢀ3ꢀclocks)  
•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀꢀ  
operationsꢀcapability  
•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ  
command  
ADDRESS TABLE  
OPTIONS  
Parameter  
4M x 16  
•ꢀ Package:ꢀꢀ  
Configuration  
1M x 16 x 4  
banks  
54-pinꢀTSOPꢀIIꢀ  
54-ballꢀFBGAꢀ(8mmꢀxꢀ8mm)  
Refresh Count  
•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRangeꢀ  
Commercialꢀ(0oCꢀtoꢀ+70oC)  
Industrialꢀ(-40oCꢀtoꢀ+85oC)  
AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40oCꢀtoꢀ+85oC)  
AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40oCꢀtoꢀ+105oC)  
ꢀ
Com./Ind. 4K/64ms  
A1 4K/64ms  
A2 4K/16ms  
Row Addresses  
A0-A11  
Column Addresses  
Bank Address Pins  
Auto Precharge Pins  
A0-A7  
BA0, BA1  
A10/AP  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀnotice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀ  
liabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀ  
anyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀex-  
pectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀ  
Solution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com ꢀ  
1
Rev. I  
12/01/2011  
1234567...59

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IS42S16400F-5BL-TR ISSI

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 		DRAM
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 		1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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