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IS42S16400F-5TL

更新时间： 2024-11-07 05:39:35
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
58页 992K
描述
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16400F-5TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32针数：54
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.38
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G54JESD-609代码：e3
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS42S16400F-5TL 数据手册

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IS42S16400F  
IS45S16400F  
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
NOVEMBER 2009  
FEATURES  
OVERVIEW  
ISSI'sꢀ64MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀ1,048,576ꢀ  
bitsꢀ xꢀ 16-bitꢀ xꢀ 4-bankꢀ forꢀ improvedꢀ performance.ꢀ Theꢀ  
synchronousꢀ DRAMsꢀ achieveꢀ high-speedꢀ dataꢀ transferꢀ  
using pipeline architecture. All inputs and outputs signals  
refer to the rising edge of the clock input.  
•ꢀ Clock frequency: 200, 166, 143, 133 MHz  
•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ  
positive clock edge  
•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge  
•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply  
•ꢀ LVTTLꢀinterface  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ  
KEY TIMING PARAMETERS  
– (1, 2, 4, 8, full page)  
•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ  
Parameter  
-5  
-6  
-7  
Unit  
Sequential/Interleave  
ClkꢀCycleꢀTimeꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
5ꢀ  
7.5ꢀ  
ꢀ
6ꢀ  
7.5ꢀ  
ꢀ
7ꢀ  
7.5ꢀ  
ꢀ
nsꢀ  
ns  
•ꢀ Selfꢀrefreshꢀmodes  
•ꢀ Autoꢀrefreshꢀ(CBR)  
ClkꢀFrequencyꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀꢀ  
200ꢀ  
133ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀmsꢀ(Com,ꢀInd,ꢀA1ꢀ  
166ꢀ  
133ꢀ  
143ꢀ  
133ꢀ  
Mhzꢀ  
Mhz  
grade) or 16ms (A2 grade)  
•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle  
AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ  
CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ  
ꢀ
5ꢀ  
6ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
5.4ꢀ  
6ꢀ  
5.4ꢀ  
6ꢀ  
nsꢀ  
ns  
•ꢀ ProgrammableꢀCAS latency (2, 3 clocks)  
•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ  
operations capability  
•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ  
command  
ADDRESS TABLE  
OPTIONS  
Parameter  
4M x 16  
•ꢀ Package:  
Configuration  
1M x 16 x 4  
54-pinꢀTSOPꢀII  
banks  
54-ballꢀFBGAꢀ(8mmꢀxꢀ8mm)  
Refresh Count  
•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange  
Commercial (0oC to +70oC)  
Com./Ind. 4K/64ms  
A1 4K/64ms  
A2 4K/16ms  
Industrial (-40oC to +85oC)  
AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40oC to +85oC)  
AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40oC to +105oC)  
Row Addresses  
A0-A11  
Column Addresses  
Bank Address Pins  
Auto Precharge Pins  
A0-A7  
BA0, BA1  
A10/AP  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no  
liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on  
any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. F  
11/09/09  
1234567...58

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IS42S16400F-5TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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