Datasheet > IS42S16400J-5BL

IS42S16400J-5BL

更新时间： 2024-11-20 22:58:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1462K
描述
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS42S16400J-5BL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.5
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	4.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
反向引出线：	NO	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm

IS42S16400J-5BL 数据手册

IS42S16400J

IS45S16400J

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT)

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

JULY 2014

FEATURES

OVERVIEW

ISSI'sꢀ64MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀ1,048,576ꢀ

bitsꢀ xꢀ 16-bitꢀ xꢀ 4-bankꢀ forꢀ improvedꢀ performance.ꢀ Theꢀ

synchronousꢀ DRAMsꢀ achieveꢀ high-speedꢀ dataꢀ transferꢀ

using pipeline architecture. All inputs and outputs signals

refer to the rising edge of the clock input.

•ꢀ Clock frequency: 200, 166, 143, 133 MHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply

•ꢀ LVTTLꢀinterface

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

KEY TIMING PARAMETERS

– (1, 2, 4, 8, full page)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Parameter

-5

-6

-7

Unit

Sequential/Interleave

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

5ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

6ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

7ꢀ

7.5ꢀ

ꢀ

nsꢀ

•ꢀ Selfꢀrefreshꢀmodes

•ꢀ Autoꢀrefreshꢀ(CBR)

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

200ꢀ

133ꢀ

ꢀ

•ꢀ 4096ꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ64ꢀmsꢀ(Com,ꢀInd,ꢀA1ꢀ

166ꢀ

133ꢀ

143ꢀ

133ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

grade) or 16ms (A2 grade)

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

4.8ꢀ

5.4ꢀ

nsꢀ

•ꢀ ProgrammableꢀCAS latency (2, 3 clocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

ADDRESS TABLE

OPTIONS

Parameter

4M x 16

•ꢀ Package:

Conﬁguration

1M x 16 x 4

54-pinꢀTSOPꢀII

banks

54-ballꢀTF-BGAꢀ(8mmꢀxꢀ8mm)

60-ballꢀTF-BGAꢀ(10.1mmꢀxꢀ6.4mm)

Refresh Count

Com./Ind. 4K/64ms

A1 4K/64ms

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange

Commercial (0^oC to +70^oC)

A2 4K/16ms

Industrial (-40^oC to +85^oC)

Row Addresses

A0-A11

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oC to +85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oC to +105^oC)

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A7

BA0, BA1

A10/AP

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device speciﬁcation before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reasonably be ex-

pected to cause failure of the life support system or to signiﬁcantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon

Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. G

7/30/2014

12 3 4 5 6 7...60

中文翻译

下载PDF

IS42S16400J-5BL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS42S16400F-5BL	ISSI	功能相似	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

与IS42S16400J-5BL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS42S16400J-5BLI	ETC	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400J-5BL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16400J-5TL	ETC	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400J-5TL-TR	ISSI	获取价格	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
IS42S16400J-6BL	ETC	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400J-6BLI	ISSI	获取价格	IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
IS42S16400J-6BLI-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54,
IS42S16400J-6BL-TR	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54,
IS42S16400J-6TL	ISSI	获取价格	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16400J-6TLI	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

与IS42S16400J-5BL相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS42S16400J-5BL

IS42S16400J-5BL 技术参数

IS42S16400J-5BL 数据手册

IS42S16400J-5BL 替代型号

与IS42S16400J-5BL相关器件

与IS42S16400J-5BL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS42S16400J-5BL

IS42S16400J-5BL 技术参数

IS42S16400J-5BL 数据手册

IS42S16400J-5BL 替代型号

与IS42S16400J-5BL相关器件

与IS42S16400J-5BL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？