是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA54,9X9,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 5.5 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 4.8 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B54 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA54,9X9,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
反向引出线: | NO | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 8 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IS42S16400F-5BL | ISSI |
功能相似 |
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS42S16400J-5BLI | ETC |
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1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
IS42S16400J-5BL-TR | ISSI |
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA | |
IS42S16400J-5TL | ETC |
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1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP | |
IS42S16400J-6BL | ETC |
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1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
IS42S16400J-6BLI | ISSI |
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA | |
IS42S16400J-6BLI-TR | ISSI |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, | |
IS42S16400J-6BL-TR | ISSI |
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Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, | |
IS42S16400J-6TL | ISSI |
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1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
IS42S16400J-6TLI | ISSI |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |