Datasheet > IS25C04-3PA3

IS25C04-3PA3

更新时间： 2024-11-25 15:35:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	63K
描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS25C04-3PA3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.325 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

IS25C04-3PA3 数据手册

IS25C02

IS25C04

ISSI

2K-BIT/4K-BIT SPI SERIAL

ELECTRICALLY ERASABLE PROM

AdvancedInformation

January2005

FEATURES

DESCRIPTION

TheIS25C02andIS25C04areelectricallyerasable

PROM devices that use the Serial Peripheral Interface

(SPI) for communications. The IS25C02 is 2Kbit

(256x 8) and the IS25C04 is 4Kbit (512x 8). The

IS25C02/04EEPROMsareofferedinwideoperating

voltages of 1.8V to 5.5V and 2.5V to 5.5V compatible

with most application voltages. ISSI designed the

IS25C02/04 to be an efficient SPI EEPROM solution.

The devices are packaged in 8-pin PDIP, 8-pin SOIC,

and 8-pin TSSOP.

• SerialPeripheralInterface(SPI)Compatible

— Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)

• LowpowerCMOS

— Active current less than 3.0 mA (2.5V)

— Standby current less than 1 µA (2.5V)

• Low-voltageOperation

— Vcc = 2.5V to 5.5V -3

— Vcc = 1.8V to 5.5V -2

• Block Write Protection

— Protect 1/4, 1/2, or Entire Array

• 16 byte page write mode

The functional features of the IS25C02/04 allow them to

beamongthemostadvancedserialnon-volatilememo-

ries available. Each device has a Chip-Select (CS) pin,

and a 3-wire interface of Serial Data In (SI), Serial Data

Out (SO), and Serial Clock (SCK). While the 3-wire

interfaceoftheIS25C02/04providesforhigh-speed

access, a HOLD pin allows the memories to ignore the

interface in a suspended state; later the HOLD pin re-

activates communication without re-initializing the serial

sequence. A Status Register facilitates a flexible write

— Partial page writes allowed

• 10 MHz Clock Rate (5V)

• Self timed write cycles (5 ms Typical)

• High-reliability

— Endurance: 1 million cycles per byte

— Data retention: 100 years

• 8-pin PDIP, 8-pin SOIC, and 8-pin TSSOP packages

areavailable

• Lead-freeavailable

protectionmechanism,andadevice-readybit(RDY).

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Advanced Information Rev. 00E

01/04/05

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IS25C04-3PA3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS25C04-3PLA3	ISSI	获取价格	2K-BIT/4K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
IS25C04-3ZA3	ISSI	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.169 INCH, TSSOP-8
IS25C04-3ZLA3	ISSI	获取价格	2K-BIT/4K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
IS25C08	ISSI	获取价格	8K-BIT/16K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
IS25C08-2CLI	ISSI	获取价格	8K-BIT/16K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
IS25C08-2DLI	ISSI	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, LEAD FREE, MO-229, DFN-8
IS25C08-2GI	ISSI	获取价格	8K-BIT/16K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
IS25C08-2GLI	ISSI	获取价格	8K-BIT/16K-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
IS25C08-2GLI-TR	ISSI	获取价格	暂无描述
IS25C08-2P	ISSI	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

与IS25C04-3PA3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS25C04-3PA3

IS25C04-3PA3 技术参数

IS25C04-3PA3 数据手册

与IS25C04-3PA3相关器件

与IS25C04-3PA3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS25C04-3PA3

IS25C04-3PA3 技术参数

IS25C04-3PA3 数据手册

与IS25C04-3PA3相关器件

与IS25C04-3PA3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？