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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL1404ZSTRLPBF
IRL1404ZSTRLPBF PDF预览

IRL1404ZSTRLPBF

更新时间： 2024-01-16 17:48:05
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 125K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRL1404ZSTRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：200 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：790 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL1404ZSTRLPBF 数据手册

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PD - 93854B  
IRL1404  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 40V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 4.0mΩ  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 160A†  
S
Description  
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely  
low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial  
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The  
low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to  
its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
160†  
110†  
640  
200  
1.3  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
620  
95  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case  
0.75  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted)‡  
www.irf.com  
1
06/14/04  
12345678

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IRL1404ZSTRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRL1404ZS INFINEON

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