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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL1404ZSPBF
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IRL1404ZSPBF

更新时间： 2024-11-20 03:44:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 790K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRL1404ZSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.4
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IRL1404ZSPBF 数据手册

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PD - 97211  
IRL1404ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRL1404ZSPbF  
Features  
IRL1404ZLPbF  
l
l
l
l
l
l
l
Logic Level  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
V
DSS = 40V  
RDS(on) = 3.1mΩ  
G
ID = 75A  
Description  
S
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional features  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
binetomakethisdesignanextremelyefficientand  
reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
S
S
S
D
D
D
G
G
G
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRL1404ZPbF  
IRL1404ZSPbF IRL1404ZLPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
180  
130  
75  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
@ T = 25°C  
C
(Package Limited)  
790  
200  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
1.3  
± 16  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy  
190  
mJ  
E
IAR  
AS (Tested )  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
490  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
T
J
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
–––  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
62  
40  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
05/17/06  
1234567...13

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IRL1404ZSPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRL1404ZS INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRL1404ZSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF4104SPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL1601C RECTRON

获取价格

 		GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 800 Volts CURRENT 16 Amperes
IRL1601C INFINEON

获取价格

 		GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER
IRL1601CA RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
IRL1602A RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220
IRL1602C RECTRON

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 		GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 800 Volts CURRENT 16 Amperes
IRL1602CA RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 16A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220
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 		GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 800 Volts CURRENT 16 Amperes

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