5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHM4Z60 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| IRHM4Z60PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHM53064 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
|
| IRHM53064D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHM53064DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHM53064PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHM53064U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHM53160 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
|
| IRHM53160D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRHM53160DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
