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IRHM53160UPBF PDF预览

IRHM53160UPBF

更新时间： 2024-11-09 20:55:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 124K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

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IRHM53160UPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHM53160UPBF 数据手册

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PD - 93784E  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM57160  
100V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM57160  
IRHM53160  
IRHM54160  
IRHM58160  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.018Ω 35A*  
0.018Ω 35A*  
0.018Ω 35A*  
1000K Rads (Si) 0.019Ω 35A*  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
Features:  
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Neutron Tolerant  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination n Repetitive Avalanche Ratings  
of low R  
and low gate charge reduces the power n Dynamic dv/dt Ratings  
losses in switching applications such as DC to DC n Simple Drive Requirements  
DS(on)  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
n
n
n
n
n
Ease of Paralleling  
Hermatically Sealed  
Electically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
140  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
250  
W
W/°C  
V
D
C
2.0  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.4  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
g
* Current is limited by internal wire diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/22/01  
12345678

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