5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRHM54260D
IRHM54260D PDF预览

IRHM54260D

更新时间： 2024-11-27 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 120K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHM54260D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHM54260D 数据手册

 浏览型号IRHM54260D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHM54260D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHM54260D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHM54260D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHM54260D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHM54260D的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91862D  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM57260  
200V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM57260  
IRHM53260  
IRHM54260  
IRHM58260  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.049Ω 35A*  
0.049Ω 35A*  
0.049Ω 35A*  
1000K Rads (Si) 0.050Ω 35A*  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
Features:  
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Neutron Tolerant  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination n Repetitive Avalanche Ratings  
of low R  
and low gate charge reduces the power n Dynamic dv/dt Ratings  
DS(on)  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermatically Sealed  
Electically Isolated  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
32  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
140  
250  
2.0  
±20  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
W
W/°C  
V
C
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
35  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
10  
T
-55 to 150  
J
oC  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
g
* Current is limited by internal wire diameter  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/30/03  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRHM54260D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM54260DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM54260PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM54260U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM54260UPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM54Z60 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRHM54Z60SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHM57064 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHM57064DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM57064PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRHM57064U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRHM54260D相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证