5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHM53064PBF
IRHM53064PBF PDF预览

IRHM53064PBF

更新时间： 2024-11-10 08:18:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 173K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHM53064PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：1090 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-MSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHM53064PBF 数据手册

 浏览型号IRHM53064PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHM53064PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHM53064PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHM53064PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHM53064PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHM53064PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 93792D  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
IRHM57064  
60V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
ꢀꢁ  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHM57064  
IRHM53064  
IRHM54064  
IRHM58064  
100K Rads (Si) 0.012Ω 35A*  
300K Rads (Si) 0.012Ω 35A*  
600K Rads (Si) 0.012Ω 35A*  
1000K Rads (Si) 0.013Ω 35A*  
TO-254AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
of low R  
and low gate charge reduces the  
DS(on)  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Hermatically Sealed  
Electically Isolated  
n
n
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
35*  
D
GS  
GS  
C
A
I
D
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
35*  
140  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
208  
W
W/°C  
V
D
C
1.67  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
1090  
35  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
20.8  
4.8  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6 mm from case for10s )  
9.3 (Typical )  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
07/19/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHM53064PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHM53064U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHM53160 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM53160D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM53160DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM53160U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM53160UPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM53260 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHM53260DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM53260PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHM53260U INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRHM53064PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证