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IRFU120PBF

更新时间： 2024-02-10 08:51:30

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科盛美 - KERSEMI		晶体晶体管开关脉冲
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7页	4224K
描述
Power MOSFET

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IRFU120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A
最大漏极电流 (ID)：	8.7 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU120PBF 数据手册

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120

Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit

Circuit layout considerations

• Low stray inductance

• Ground plane

D.U.T

• Low leakage inductance

current transformer

R_G

• dV/dt controlled by R_G

• Driver same type as D.U.T.

• I_SDcontrolled by duty factor "D"

• D.U.T. - device under test

V_DD

Driver gate drive

P.W.

Period

D =

= 10 V*

D.U.T. I waveform

Reverse

recovery

current

Body diode forward

current

dI/dt

D.U.T. V waveform

Diode recovery

dV/dt

Re-applied

voltage

Body diode forward drop

Ripple ≤ 5 %

Inductor current

* V_GS= 5 V for logic level devices

Fig. 14 - For N-Channel

wwwkersemi.com

1...4 5 67

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IRFU121	RENESAS	8.4A, 80V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA	获取价格
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IRFU12N25DPBF	KERSEMI	SMPS MOSFET	获取价格