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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFU110TU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFU111 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU120 | VISHAY | IRFR120 |
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| IRFU120 | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFU120 | INTERSIL | 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU120 | INFINEON | HEXFET POWER MOSFET |
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