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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.08 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9110PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR9110PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFR9110PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR9110TR | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
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| IRFR9110TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR9110TRA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR9110TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A) |
|
| IRFR9110TRL | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFR9110TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR9110TRLA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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