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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9110 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9110 | ROCHESTER |
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Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9110 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9110 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9110 | INTERSIL |
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3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFR9110 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A) |
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| IRFR9110 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR91109A | ROCHESTER |
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3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
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| IRFR9110PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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