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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI830-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
3.1A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRFI830-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI830-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI830-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI830A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-262AA |
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| IRFI830ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFI830B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| IRFI830BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI830G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFI830G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A) |
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