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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI644-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644-012PBF | INFINEON |
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7.9A, 250V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRFI644-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI644A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFI644B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFI644G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=7.9A) |
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| IRFI644G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI644G-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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