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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI644B
IRFI644B PDF预览

IRFI644B

更新时间： 2024-11-28 22:31:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 686K
描述
250V N-Channel MOSFET

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IRFI644B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.65Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：480 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFI644B 数据手册

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November 2001  
IRFW644B / IRFI644B  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converter and  
switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
14A, 250V, R  
= 0.28Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 47 nC)  
Low Crss ( typical 30 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
D2-PAK  
IRFW Series  
I2-PAK  
IRFI Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFW644B / IRFI644B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
250  
14  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
8.9  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
56  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
480  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
14  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.9  
5.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
139  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.11  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.9  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
40  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234567...9

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与IRFI644B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI644G INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=7.9A)
IRFI644G VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFI644G-002 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-003PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-004PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-005PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-006PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-009PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI644G-010 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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