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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI644G-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-030PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI644GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI650B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFI654B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFI654B-FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFI654BTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IRFI710A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-262AA |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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