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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI644G-024PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-029PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-030PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644G-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI644GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI644GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI650B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFI654B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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