5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI540N-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-011 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-012 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFI540N-015 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFI540N-015PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
