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IRFHM8337TRPBF

更新时间： 2024-02-02 20:03:58

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	593K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, QFN-8

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IRFHM8337TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.9
雪崩能效等级（Eas）：	13 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.0124 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	94 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFHM8337TRPBF 数据手册

IRFHM8337TRPbF

1000

100

1000

100

VGS

10V

VGS

10V

TOP

5.0V

4.5V

3.5V

3.3V

3.0V

2.9V

2.7V

5.0V

4.5V

3.5V

3.3V

3.0V

2.9V

2.7V

BOTTOM

2.7V

60µs PULSE WIDTH



60µs PULSE WIDTH

Tj = 25°C



Tj = 150°C

, Drain-to-Source Voltage (V)

0.1

100

0.1

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 2. Typical Output Characteristics

Fig 1. Typical Output Characteristics

100

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

= 12A

= 10V

T = 25°C

T = 150°C

= 15V



60µs PULSE WIDTH

0.1

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

T , Junction Temperature (°C)

, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

14.0

10000

1000

100

= 0V,

= C

f = 1 MHZ

I = 9.4A

+ C , C

SHORTED

iss

12.0

= C

= 24V

= 15V

rss

oss

= C + C

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

iss

oss

rss

12 14 16

, Drain-to-Source Voltage (V)

100

Q , Total Gate Charge (nC)

Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage

2016-2-23

1 234 5 6 7...11

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