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IRFF330

更新时间： 2024-11-18 20:20:19

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瑞萨 - RENESAS		/
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7页	324K
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3.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

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IRFF330 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFF330 数据手册

IRFF330

Data Sheet

March 1999

File Number 1893.3

3.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel

Power MOSFET

Features

• 3.5A, 400V

• r = 1.000Ω

This N-Channel enhancement mode silicon gate power ﬁeld

effect transistor is an advanced power MOSFET designed,

tested, and guaranteed to withstand a speciﬁed level of

energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of

these power MOSFETs are designed for applications such

as switching regulators, switching convertors, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA17414.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

IRFF330

TO-205AF

NOTE: When ordering, include the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-205AF

SOURCE

DRAIN

(CASE)

GATE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF330R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF331	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFF331R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF332	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF332R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF333	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF333R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF420	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFF420	INFINEON	获取价格	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF420 with Hermetic Packag
IRFF420	INTERSIL	获取价格	1.6A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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