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IRFF420 PDF预览

IRFF420

更新时间： 2024-09-10 11:01:15
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
29页 401K
描述
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF420 with Hermetic Packaging

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IRFF420 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-39, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：0.242 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：3.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFF420 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 1 June 2013.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/555L  
17 April 2013  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/555K  
11 February 2010  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL, SILICON,  
TYPES 2N6788, 2N6788U, 2N6790, 2N6790U, 2N6792, 2N6792U, 2N6794, AND 2N6794U,  
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
The requirements for acquiring the product described herein shall consist of  
this specification sheet and MIL-PRF-19500.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for an N-channel, enhancement-mode,  
MOSFET, power transistor. Four levels of product assurance are provided for each device type as specified in  
MIL-PRF-19500. Two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.  
1.2 Physical dimensions. See figures 1 (TO-205AF), 2 (LCC), and figures 3, 4, 5, 6, and 7 for JANHC and JANKC  
(die) dimensions.  
1.3 Maximum ratings. (Unless otherwise specified, TA = +25°C).  
PT  
VDS  
VDG  
VGS  
VDS and VDG  
70,000 ft. altitude  
Type  
TA = +25°C  
W
V dc  
V dc  
V dc  
2N6788, 2N6788U  
2N6790, 2N6790U  
2N6792, 2N6792U  
2N6794, 2N6794U  
0.8  
0.8  
0.8  
0.8  
100  
200  
400  
500  
100  
200  
400  
500  
±20  
±20  
±20  
±20  
300  
300  
PT (1)  
TC = +25°C  
ID1 (3) (4)  
TC = +25°C  
ID2  
IS  
IDM  
(5)  
Rθ (2)  
JC  
Type  
TJ and TSTG  
TC = +100°C  
°C/W  
W
A dc  
A dc  
A dc  
A (pk)  
°C  
2N6788  
2N6790  
2N6792  
20  
20  
20  
20  
14  
14  
14  
14  
6.0  
3.5  
2.0  
1.5  
4.5  
2.8  
1.8  
1.4  
3.5  
2.25  
1.25  
1.0  
2.8  
1.8  
6.0  
3.5  
2.0  
1.5  
4.5  
2.8  
1.8  
1.4  
24  
14  
8
6.25  
6.25  
6.25  
6.25  
8.93  
8.93  
8.93  
8.93  
-55°  
to  
+150°  
2N6794  
6
2N6788U  
2N6790U  
2N6792U  
2N6794U  
18  
11  
7.2  
5.6  
1.13  
0.88  
See notes on next page.  
* Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to DLA Land and Maritime,  
ATTN: VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to Semiconductor@dla.mil. Since contact  
information can change, you may want to verify the currency of this address information using the ASSIST  
Online database at https://assist.dla.mil/.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
1234567...29

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IRFF420 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6794 INFINEON

完全替代

 500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6794 with Hermetic Packagi
JANTXV2N6794 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A)
JANTX2N6794 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A)

与IRFF420相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFF420R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-205AF
IRFF421 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-205AF
IRFF421R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-205AF
IRFF422 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-205AF
IRFF422R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-205AF
IRFF423 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-205AF
IRFF423R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-205AF
IRFF430 INTERSIL

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 		2.75A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFF430 INFINEON

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 		HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
IRFF430 SEME-LAB

获取价格

 		N–CHANNEL ENHANCEMENT

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