IRFBC30SPBF

更新时间： 2024-11-24 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFBC30SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	2.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBC30SPBF 数据手册

IRFBC30S, SiHFBC30S, IRFBC30L, SiHFBC30L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Surface Mount (IRFBC30S, SiHFBC30S)

600

• Low-Profile Through-Hole (IRFBC30L, SiHFBC30L)

Available

• Available in Tape and Reel (IRFBC30S,

SiHFBC30S)

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.2

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.6

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

the accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

N-Channel MOSFET

2.0

W in a typical surface mount application. The

through-hole version (IRFBC30L, SiHFBC30L) is a available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFBC30SPbF

SiHFBC30S-E3

IRFBC30S

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRFBC30LPbF

SiHFBC30L-E3

IRFBC30L

IRFBC30STRLPbF^a

Lead (Pb)-free

SiHFBC30STL-E3^a

SnPb

SiHFBC30S

SiHFBC30L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

3.6

2.3

0.59

290

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

W/°C

E_AS

I_AR

3.6

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

3.1

3.0

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 41 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 60 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC30/SiHFBC30 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91111

S-Pending-Rev. A, 10-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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与IRFBC30SPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBC30STRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3.6A I(D) \| TO-263AB
IRFBC30STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC30STRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3.6A I(D) \| TO-263AB
IRFBC30STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC32	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3.2A I(D) \| TO-220AB
IRFBC40	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
IRFBC40	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRFBC40	INTERSIL	获取价格	6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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