IRFBC30A

更新时间： 2024-11-06 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	156K
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Power MOSFET

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IRFBC30A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	2.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBC30A 数据手册

IRFBC30A, SiHFBC30A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.2

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

5.4

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGY

• Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBC30APbF

SiHFBC30A-E3

IRFBC30A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC30A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

3.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

2.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.69

290

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

3.6

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

7.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 41 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91108

S-81243-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFBC30AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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IRFBC30ALPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC30APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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