IRFBC30AS

更新时间： 2024-11-06 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
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描述
Power MOSFET

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IRFBC30AS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFBC30AS 数据手册

IRFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AS, SiHFBC30AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

Available

V_GS= 10 V

2.2

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

5.4

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

I²PAK (TO-262)

D²PAK (TO-263)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRFBC30ALPbF

SiHFBC30AL-E3

IRFBC30AL

IRFBC30ASPbF

SiHFBC30AS-E3

IRFBC30AS

IRFBC30ASTRLPbF^a

SiHFBC30ASTL-E3^a

IRFBC30ASTRL^a

IRFBC30ASTRRPbF^a

SiHFBC30ASTR-E3^a

IRFBC30ASTRR^a

SiHFBC30ASTR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC30AS

SiHFBC30ASTL^a

SiHFBC30AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

3.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.3

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.69

290

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

3.6

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

7.0

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 46 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC30A/SiHFBC30A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91109

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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IRFBC30ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC30ASPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC30ASTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC30ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC30ASTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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