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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.03 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 110 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 125 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 93 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF840FP | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| IRF840FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF840FX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF840FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF840HPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF840I | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| IRF840L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF840L, SiHF840L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF840LC | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF840LC-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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