5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF840FP
IRF840FP PDF预览

IRF840FP

更新时间： 2024-01-09 19:19:10
品牌 Logo 应用领域
SUNTAC /
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF840FP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.57
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：125 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON

IRF840FP 数据手册

 浏览型号IRF840FP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF840FP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF840FP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF840FP的Datasheet PDF文件第5页 
IRF840  
POWER MOSFET  
!
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
This high voltage MOSFET uses an advanced termination  
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability  
without degrading performance over time. In addition, this  
advanced MOSFET is designed to withstand high energy in  
avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain-to-source diode with a  
fast recovery time. Designed for high voltage, high speed  
switching applications in power supplies, converters and  
PWM motor controls, these devices are particularly well  
suited for bridge circuits where diode speed and  
commutating safe operating areas are critical and offer  
additional and safety margin against unexpected voltage  
transients.  
'ꢀ Robust High Voltage Termination  
'ꢀ Avalanche Energy Specified  
'ꢀ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
'ꢀ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
'ꢀ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
TO-220/TO-220FP  
Top View  
D
G
S
2
3
1
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain to Current ꢀ Continuous  
Symbol  
ID  
Value  
8.0  
32  
Unit  
A
ꢀ Pulsed  
IDM  
Gate-to-Source Voltage ꢀ Continue  
ꢀ Non-repetitive  
VGS  
VGSM  
PD  
20  
V
V
40  
Total Power Dissipation  
W
TO-220  
125  
40  
TO-220FP  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy ꢀ TJ = 25R  
(VDD = 100V, VGS = 10V, IL = 8A, L = 10mH, RG = 25ꢀ)  
Thermal Resistance ꢀ Junction to Case  
ꢀ Junction to Ambient  
TJ, TSTG  
EAS  
-55 to 150  
320  
R
mJ  
%
1.0  
62.5  
260  
R/W  
JC  
%
JA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 10 seconds  
TL  
R
Page 1  
12345

中文翻译

下载PDF

与IRF840FP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF840FPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRF840FX INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRF840FXPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRF840HPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF840I A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
IRF840L MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840L, SiHF840L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF840LC VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF840LC-002 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840LC-003 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRF840FP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证