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IRF7425PBF-1

更新时间： 2024-02-23 21:13:59

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英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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IRF7425PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.0082 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7425PBF-1 数据手册

IRF7425PbF-1

12000

10000

8000

6000

4000

2000

-15A

= 0V,

f = 1MHz

gd , ds

= C + C

SHORTED

=-16V

=-10V

iss

= C

= C + C

rss

oss

iss

oss

rss

120

160

100

Q , Total Gate Charge (nC)

-V , Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000

100

OPERATION IN THIS AREA LIMITED

BY R

DS(on)

T = 150 C

100us

1ms

T = 25 C

10ms

T = 25 C

T = 150 C

Single Pulse

= 0 V

0.1

0.2

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

100

-V ,Source-to-Drain Voltage (V)

-V , Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

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November 20, 2013

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF7425TRPBF	INFINEON	Ultra Low On-Resistance	获取价格
IRF7425TRPBF-1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
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