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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF710STRR | VISHAY |
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暂无描述 |
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| IRF710STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF710STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF711 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
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| IRF711 | ROCHESTER |
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2A, 350V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF711 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF711 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R |
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| IRF711-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF711-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF711-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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