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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF710STRRPBF
IRF710STRRPBF PDF预览

IRF710STRRPBF

更新时间： 2024-09-15 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1020K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF710STRRPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.04
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：3.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：36 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF710STRRPBF 数据手册

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IRF710, SiHF710  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
400  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
3.6  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
17  
3.4  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
8.5  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
TO-220  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
S
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
D
S
G
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF710PbF  
SiHF710-E3  
IRF710  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF710  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
400  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
2.0  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
1.2  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
6.0  
Linear Derating Factor  
0.29  
120  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
2.0  
EAR  
3.6  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
36  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 52 mH, RG = 25 Ω, IAS = 2.0 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 2.0 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91041  
S-Pending-Rev. A, 30-May-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRF710STRRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF711 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
IRF711 ROCHESTER

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 		2A, 350V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF711 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711 NJSEMI

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 		Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF711-001 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711-001PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711-003 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711-003PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711-004 INFINEON

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