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IRF711-011

更新时间: 2024-11-07 08:06:23
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描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRF711-011 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF711PBF INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF711R ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
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IRF712 NJSEMI

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IRF712R ROCHESTER

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1.7A, 400V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF713 FAIRCHILD

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N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
IRF713 NJSEMI

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF713-002 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF713-002PBF INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 350V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal