5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.91 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF630 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF630 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRF630 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF630 | ISC |
获取价格 |
N-channel mosfet transistor |
|
| IRF630 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated |
|
| IRF630 | COMSET |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF630 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| IRF630 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
|
| IRF630 | INTERSIL |
获取价格 |
9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF630 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
