5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF614B
IRF614B PDF预览

IRF614B

更新时间： 2024-11-11 22:31:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 856K
描述
250V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF614B 数据手册

 浏览型号IRF614B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF614B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF614B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF614B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF614B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF614B的Datasheet PDF文件第7页 
November 2001  
IRF614B/IRFS614B  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters and  
switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
2.8A, 250V, R  
= 2.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.1 nC)  
Low Crss ( typical 7.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF614B  
IRFS614B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
250  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.8  
1.8  
8.5  
2.8 *  
1.8 *  
8.5 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
45  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.8  
4.0  
5.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
40  
22  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.32  
0.18  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
IRF614B  
IRFS614B  
5.58  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
3.14  
0.5  
θJC  
--  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IRF614B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF614BJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF614F INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF614FPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF614FX INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
IRF614PBF INFINEON

获取价格

 		hexfet power mosfet
IRF614S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252VAR
IRF614S, SiHF614S VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF614SPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF614SPBF VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF614STRLPBF VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO

与IRF614B相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证