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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF615-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF615-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF615-012PBF | INFINEON |
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2.2A, 250V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF615-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF615-013PBF | INFINEON |
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2.2A, 250V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF6156 | INFINEON |
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FlipFET Power MOSFET |
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| IRF6156PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF620 | TRSYS |
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Power MOSFET |
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| IRF620 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRF620 | INTERSIL |
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5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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