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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF615-012 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF615-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
2.2A, 250V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF615-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF615-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
2.2A, 250V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF6156 | INFINEON |
获取价格 |
FlipFET Power MOSFET |
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| IRF6156PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF620 | TRSYS |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF620 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRF620 | INTERSIL |
获取价格 |
5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRF620 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
|
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