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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 55 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF5N3205_05 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| IRF5N3205SCV | INFINEON |
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55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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| IRF5N3415 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=37.5A) |
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| IRF5N3415SCV | INFINEON |
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150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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| IRF5N3710 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) |
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| IRF5N3710SCV | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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| IRF5N3710SCX | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TX |
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| IRF5N4905 | INFINEON |
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POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=-55A*) |
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| IRF5N4905SCS | INFINEON |
获取价格 |
-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Standard Packaging |
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| IRF5N4905SCV | INFINEON |
获取价格 |
-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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