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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 37.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 37.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF5N3415SCV | INFINEON |
获取价格 |
150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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| IRF5N3710 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) |
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| IRF5N3710SCV | INFINEON |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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| IRF5N3710SCX | INFINEON |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TX |
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| IRF5N4905 | INFINEON |
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POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=-55A*) |
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| IRF5N4905SCS | INFINEON |
获取价格 |
-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Standard Packaging |
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| IRF5N4905SCV | INFINEON |
获取价格 |
-55V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV |
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| IRF5N5210 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-31A) |
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| IRF5N5210PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRF5N5210SCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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