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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF5N3415
IRF5N3415 PDF预览

IRF5N3415

更新时间： 2024-11-04 22:31:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 119K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=37.5A)

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IRF5N3415 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：37.5 A最大漏极电流 (ID)：37.5 A
最大漏源导通电阻：0.042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF5N3415 数据手册

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PD - 94267  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
IRF5N3415  
150V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF5N3415  
150V  
0.042Ω 37.5A  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
SMD-1  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
37.5  
22  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
150  
DM  
@ T = 25°C  
P
125  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
210  
mJ  
A
AS  
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
12.5  
3.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
2.6 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/19/01  
1234567

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与IRF5N3415相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF5N3415SCV INFINEON

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 		150V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV
IRF5N3710 INFINEON

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 		POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
IRF5N3710SCV INFINEON

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 		100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV
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 		100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TX
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 		暂无描述
IRF5N5210SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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