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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF531-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF531FI | STMICROELECTRONICS |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRF531R | HARRIS |
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N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
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| IRF532 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF532 | STMICROELECTRONICS |
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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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