5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF532-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF532-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-011 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-012 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF532-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
