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IRF532-003 PDF预览

IRF532-003

更新时间： 2024-01-02 00:19:38

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRF532-003 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF532-003 数据手册

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与IRF532-003相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF532-003PBF	INFINEON	12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
IRF532-004	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF532-004PBF	INFINEON	12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
IRF532-005PBF	INFINEON	12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
IRF532-006	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF532-006PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

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