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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
晶体晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 191K |  |
| 描述 | ||
| N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 69 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 79 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 79 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 71 ns | 最大开启时间（吨）： | 66 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRF532-001 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF532-001PBF | INFINEON | 12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF532-002 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF532-002PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF532-003 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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|
| IRF532-003PBF | INFINEON | 12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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