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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF531R | HARRIS |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
|
| IRF532 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF532 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
|
| IRF532 | HARRIS |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
|
| IRF532 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
|
| IRF532 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| IRF532 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| IRF532-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF532-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
12A, 100V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF532-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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